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WSR140N10
WSR140N10是具有最高性能的高密度沟槽N-型MOSFET,其单元密度极高,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷。WSR140N10符合RoHS和绿色产品要求,提供100%的EAS保证,并通过了全功能可靠性认证。
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WSR80N10
WSR80N10是一款性能优异、应用广泛的N沟道MOSFET,适用于多种高电流、高电压处理电路。
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WSR3710
WSR3710是一款性能优异的中压场效应管,适用于多种高电流处理电路。
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WSR180N08
WSR180N08是具有最高性能的N型沟道MOSFET,采用极端高密度的单元设计,为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷。WSR180N08符合RoHS和绿色产品要求,提供100%的EAS保证,并通过了全功能可靠性认证。
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WSR200N08A
WSR200N08A是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
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WSR140N08
WSR140N08是具有最高性能的N型沟道MOSFET,采用极高单元密度设计,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷。
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WSR80N08
WSR80N08是具有最高性能的N型沟道MOSFET,采用极高单元密度的设计,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的Rson(导通电阻)和栅极充电量。WSR80N08符合RoHS和绿色产品要求,具备100% EAS(可能是指某种电气参数或特性的保证)保证功能,并通过了可靠性认证。
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WSR130N06
WSR130N06PT采用了先进的SGT MOSFET技术,以提供低RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和优秀的雪崩特性。该设备特别设计以增强其鲁棒性,并适用于高压和大电流条件。
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WSR80N06
WSR80N06采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)(导通电阻),同时具有低栅极电荷。它可以在各种应用中广泛使用。
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WSR60N06D
WSR60N06D采用先进的沟槽技术,并设计以提供具有低栅极电荷的出色RDS(ON)性能。它可以在各种应用场合中广泛使用。
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WSR170N04G
WSR170N04G采用SGT设计和工艺,以提供具有低栅极电荷的出色RDS(ON)性能。它可在多种应用中广泛使用。
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WSR150N04
WSR150N04采用先进的沟槽技术和设计,以提供极佳的RDS(ON),并具有低栅极电荷。它可以在各种应用中广泛使用。
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WSR3090
WSR3090是具有最高性能的N沟道MOSFET,采用极高单元密度的Trench技术。它提供了极佳的RDS(ON)和栅极充电能力,适用于大多数同步降压转换器应用。WSR3090满足RoHS和绿色产品要求,具有100% EAS保证,并通过了全面功能可靠性认证。
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WSC80P03
WSC80P03是一款高性能、高稳定性的单P沟道MOS管,适用于各种电子设备中的功率控制电路。
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WSC4N65
WS4N65是具有最高性能的N沟道MOSFET,采用极高栅极电荷密度的Trench技术,为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDS(ON)和栅极充电性能。WS4N65满足RoHS和绿色产品要求,具有100% EAS保证,并已通过全面功能可靠性认证。
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WSC5N20
WSC5N20是一款高性能、高稳定性的N沟道MOSFET,适用于各种电子设备中的电源管理和电机控制等应用。
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WSC15N10
WSC15N10是具有最高性能的沟槽N型MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDS(ON)和门控电荷。WSC15N10满足RoHS和绿色产品要求,具有100% EAS保证,并已通过全功能可靠性认证。
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WSC40N06
WSC40N06是具有最高性能的沟槽N型MOSFET,具有极高的栅极单元密度。它可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDS(ON)和门控充电。WSC40N06满足RoHS和绿色产品要求,具有100% EAS保证,并已通过全功能可靠性认证。
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WSC60N03
WSC60N03是一款高性能、低导通电阻、超低栅极电荷的N沟道MOSFET,适用于同步降压转换器和其他开关电源应用。
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WSL220N08
WSL220N08是具有最高性能的沟槽N型MOSFET,具有极高的单元密度。它可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDS(ON)值和栅极充电量。WSL220N08满足RoHS和绿色产品要求,具有100% EAS保证,并已通过全功能可靠性认证。
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