WSR70P10
WSR70P10是一款高性能的P沟道场效应晶体管，具有出色的RDS(ON)和栅极电荷性能，适用于多种小功率开关和负载开关应用。
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WSR45P10
WSR45P10是一款性能极高的沟槽P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了出色的RDS(ON)和栅极电荷。WSR45P10符合RoHS和绿色产品要求，并已经通过了完全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSR38P10
WSR38P10是具有极高性能的沟槽P型MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON（导通电阻）和栅极电荷。WSR38P10符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过了完全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSR18P10
WSR18P10是性能最高的沟槽型P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了出色的RDSON（导通电阻）和门控电荷。WSR18P10符合RoHS和绿色产品要求，并通过了完全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSR98P06
WSR98P06是一款高性能的沟槽P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的Rds(on)（导通电阻）和门控充电能力。WSR98P06符合RoHS和绿色产品要求，拥有100% EAS保证，并已经通过了完全功能可靠性批准。详情/PDF下载 -
WSR80P06
WSR88P06采用先进的沟槽技术，并设计以提供极低的RDS(ON)（导通电阻）和低栅极电荷。它可广泛应用于各种领域。详情/PDF下载 -
WSR58P06
WSR58P06是一款性能卓越、具有极高单元密度的沟槽P沟道MOSFET。它提供了出色的Roson和栅极充电能力，适用于大多数同步降压转换器应用。WSR58P06符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已经通过了完全功能可靠性批准。详情/PDF下载 -
WSR30N65C
WSR30N65C系列设备采用先进的Trench Gate Super Junction（沟道超结）技术和设计，以提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和低栅极电荷。这款超结MOSFET满足工业AC-DC开关电源（SMPS）对于功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换以及工业电源应用的要求。详情/PDF下载 -
WSR10N65F
WSR10N65F是具有极高性能的沟槽N-型MOSFET，具有极高的单元密度。它为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSR10N65F符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS（Ease of Assembly，易于装配）保证，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSR20N60
这款Power MOSFET采用了Truesemi公司的先进CoolFET技术制造。这项先进技术经过专门设计，旨在最大限度地减少导通状态下的电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合高压、高效率的开关模式电源供应器，以及基于半桥拓扑结构的主动功率因素校正应用。详情/PDF下载 -
WSR22N50F
WSR22N50F是硅N通道增强型VDMOSFET，采用自对准平面技术制造，该技术可减少导通损失，提高开关性能，并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种电源开关电路系统，有助于系统的小型化和提高效率。封装形式为TO-220F，符合RoHS标准。详情/PDF下载 -
WSR60N25
WSR60N25是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）详情/PDF下载 -
WSR25N20G
WSR25N20G是具有最高性能的沟槽N-型MOSFET，具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极充电量。WSR25N20G符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSR25N20
WSR25N20是具有最高性能的沟槽N-沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的反向导通门控电阻（RDSON）和栅极充电量。WSR25N20符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSR180N15
WSR180N15是具有最高性能的高密度沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。详情/PDF下载 -
WSR150N15
WSR150N15是具有最高性能的沟道N-型MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSR150N15符合RoHS（限制使用某些有害物质指令）和绿色产品要求，具有100%的EAS（Ease of Assembly，易于装配）保证，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSR180N10
WSR180N10是具有最高性能的高密度沟槽N-型MOSFET，其单元密度极高，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSR180N10符合RoHS（栅极驱动器阻抗）和绿色产品要求，具有100%的EAS（Ease of Assembly，易于装配）保证，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSR140N10
WSR140N10是具有最高性能的高密度沟槽N-型MOSFET，其单元密度极高，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSR140N10符合RoHS和绿色产品要求，提供100%的EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSR80N10
WSR80N10是一款性能优异、应用广泛的N沟道MOSFET，适用于多种高电流、高电压处理电路。详情/PDF下载 -
WSR3710
WSR3710是一款性能优异的中压场效应管，适用于多种高电流处理电路。详情/PDF下载
