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电子元器件
TO-220
TO-220

WSR200N08A

​WSR200N08A是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
功能特点

WSR200N08A是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)


   基本特征
  • 晶体管类型:N沟道
  • 封装形式:TO-220AB或TO220FB-3L
  • 阈值电压:3V@250µA
  • 漏极电流:200A(连续)
  • 漏源电压:80V
  • 栅极源极击穿电压:±25V
  • 导通电阻:RDS(on)约为3.5mΩ@10V, 100A


主要参数
型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part numberConfigu
ration
TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)RDS(ON)(mΩ)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
   WSR200N08ASingleN-Ch80 25 200 --8154 1029 650 TO-220