WSC80P03
WSC80P03是一款高性能、高稳定性的单P沟道MOS管，适用于各种电子设备中的功率控制电路。
电子元器件
功能特点
WSC80P03是一款高性能、高稳定性的单P沟道MOS管，适用于各种电子设备中的功率控制电路。
基本参数
- 封装形式：TO-251
- FET类型：单P沟道
- 漏源电压（Vdss）：-30V
- 漏极电流（Id）：-75A
- 栅源电压（Vgs）：±20V（正向和反向）
- 漏源导通电阻（RDS(on)）：5.4mΩ
- 栅极电荷（Qg）：未明确给出具体数值，但提供了相关信息表明其栅极充电性能良好
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSC80P03 | Single | P-Ch | -30 | 20 | -75 | -1.5 | -1.8 | -3 | 5.4 | 9 | 8.9 | 15 | 5554 | 761 | 435 | TO-251 | |||||||||||
