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电子元器件
TO-251
TO-251

WSC60N03

WSC60N03是一款高性能、低导通电阻、超低栅极电荷的N沟道MOSFET,适用于同步降压转换器和其他开关电源应用。​
功能特点

WSC60N03是一款高性能、低导通电阻、超低栅极电荷的N沟道MOSFET,适用于同步降压转换器和其他开关电源应用。

  • 型号:WSC60N03
  • 封装类型:TO-251-3L
  • 漏源极电压(Vds):30V
  • 最大漏极电流(Id):60A
  • 导通电阻(Rds(on)):4.1mΩ@10V(在栅极电压为10V时,漏源极之间的导通电阻为4.1毫欧)


主要参数
型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part numberConfigu
ration
TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)RDS(ON)(mΩ)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
   WSC60N03SingleN-Ch30 20 60 1.5 2.5 4.1 6.5 6.5 2330      460 230 TO-251