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电子元器件
TO-251
TO-251

WSC5N20

WSC5N20是一款高性能、高稳定性的N沟道MOSFET,适用于各种电子设备中的电源管理和电机控制等应用。
功能特点

WSC5N20是一款高性能、高稳定性的N沟道MOSFET,适用于各种电子设备中的电源管理和电机控制等应用。


   基本参数

  • 晶体管类型:N沟道
  • 漏源电压(Vdss):200V
  • 连续漏极电流(Id):5A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250µA(也可能有2.5V@250uA的规格,这取决于具体的产品批次或生产工艺)
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):600mΩ@10V, 30A(或在某些条件下为0.49Ω)


主要参数
型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part numberConfigu
ration
TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)RDS(ON)(mΩ)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
   WSC5N20SingleN-Ch200 30 -490 580 --255 30.2 2.3 TO-251