WSR80N06
WSR80N06采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)（导通电阻），同时具有低栅极电荷。它可以在各种应用中广泛使用。
电子元器件
功能特点
WSR80N06采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)（导通电阻），同时具有低栅极电荷。它可以在各种应用中广泛使用。
特点：
- 高密度单元设计，实现超低RDS(ON)
- 完全特征化的雪崩电压和电流
- 高EAs下的良好稳定性和均匀性
- 优秀的封装，提供良好的热散热性能
- 特殊过程技术，提高ESD（静电放电）能力
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSR80N06 | Single | N-Ch | 60 | 20 | 80 | 2 | 3 | 4 | 9.1 | 11.5 | - | - | 2350 | 237 | 205 | TO-220 | |||||||||||
