WSR170N04G
WSR170N04G采用SGT设计和工艺，以提供具有低栅极电荷的出色RDS(ON)性能。它可在多种应用中广泛使用。
电子元器件
功能特点
WSR170N04G采用SGT设计和工艺，以提供具有低栅极电荷的出色RDS(ON)性能。它可在多种应用中广泛使用。
特点：
- 高密度单元设计，实现超低RDS(ON)
- 完全特征化的雪崩电压和电流
- 高EAs下的良好稳定性和均匀性
- 出色的封装，提供良好的热散热性能
- 特殊工艺技术，提高ESD能力
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSR170N04G | Single | N-Ch | 40 | 20 | 170 | 1.2 | 1.8 | 2.5 | 1.9 | 3 | - | - | 3950 | 1120 | 98 | TO-220 | |||||||||||
