WSE3099
WSP3099是具有最高性能的沟槽P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSP3099符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。
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WSE9968A
WSE9968A是具有最高性能的T型沟道N-通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSE9968A符合RoHS和绿色产品要求，具有100%保证的EAS认证和已批准的全功能可靠性。详情/PDF下载 -
WSE9968
WSE9968由于其高性能和可靠性，适用于各种需要高效能MOSFET的应用场景，包括但不限于小家电、电源管理、电子设备等。详情/PDF下载 -
WST2002
WST2002是具有最高性能的沟槽N型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载切换应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WST2002符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST2004
漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：400mA
导通电阻(RDS(on)) ：240mΩ@4.5V,400mA 耗散功率(Pd)：150mW
阈值电压(Vgs(th))：1V 输入电容(Ciss@Vds)：88pF@15V
反向传输电容(Crss)：10pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃详情/PDF下载 -
WST6005
The WST6005 是性能最高的沟槽P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大部分小功率开关和负载切换应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。The WST6005 符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST6003
漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA
导通电阻(RDS(on)) ：1.2Ω@2.5V,0.3A 耗散功率(Pd)：150mW
栅极电荷量(Qg)：1.5nC@4.5V 工作温度：-55℃~+150℃详情/PDF下载 -
WST6008
WST6008 是性能最高的沟槽N型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载切换应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WST6008 符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST2005
H型是P通道增强模式功率MOSFET，采用高单元密度和DMOS沟槽技术生产。该器件特别适合低电压应用，尤其是电池供电电路。其小巧轻薄的外形节省了PCB上的空间所有器件在电气上是相同的。- 符合RoHS标准详情/PDF下载 -
WST6006
The WST6006 是性能最高的沟槽N型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。The WST6006 符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST3032
WST3032 是性能最高的沟槽N型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。WST3032 符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST2026
The WST2026 是性能最高的沟槽N型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。The WST2026 符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST2006
The WST2006 是性能最高的沟道N型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。The WST2006 符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST2007
The WST2007 是性能最高的沟道P型栅极金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。The WST2007 符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST3078
The WST3078 是性能最高的沟槽N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs），具有极高的单元密度。它提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关应用和负载切换应用。The WST3078 符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST2078
WST2078是具有最高性能的沟槽N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极端高的单元密度。它提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。WST2078符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST2033
WST2033是一款高性能、环保、应用广泛的电子元器件，适用于大多数小功率开关和负载开关应用。详情/PDF下载 -
WST05P06
WST05P06是性能最高的沟槽P型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极端高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(on)（导通电阻）和门控电流。WST05P06符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WST3035
WST3035是一款具有极高性能的沟槽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。它采用了先进的高单元密度沟槽技术，具有极高的单元密度，从而能够提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。这使得WST3035非常适合用于大多数同步整流器转换器应用。详情/PDF下载 -
WST2035
WST2035是具有最高性能的沟槽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极端高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数同步降压转换器应用。WST2035符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。详情/PDF下载
