WSR80N08
WSR80N08是具有最高性能的N型沟道MOSFET,采用极高单元密度的设计,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的Rson(导通电阻)和栅极充电量。WSR80N08符合RoHS和绿色产品要求,具备100% EAS(可能是指某种电气参数或特性的保证)保证功能,并通过了可靠性认证。
WSR80N08是具有最高性能的N型沟道MOSFET,采用极高单元密度的设计,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的Rson(导通电阻)和栅极充电量。WSR80N08符合RoHS和绿色产品要求,具备100% EAS(可能是指某种电气参数或特性的保证)保证功能,并通过了可靠性认证。
特点:
● 先进的高单元密度Trench(沟槽)技术
● 超级低门控电荷
● 出色的CdV/dt效应衰减
● 100% EAS保证
● 提供绿色设备型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
@10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
(V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
WSR80N08 | Single | N-Ch | 80 | 20 | 80 | 2 | - | 4 | 8.4 | 9.5 | - | - | 4800 | 1670 | 590 | TO-220 |