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WSD27N10DN56
WSD27N10DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD27N10DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD4048DN56
WSD4048DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD4048DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD3067DN56
WSD3067DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD3067DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD3023DN56
WSD3023DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD3023DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD30L88DN56
WSD30L88DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD30L88DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD86P10DN56
WSD86P10DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD86P10DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD90P06DN56
WSD90P06DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD90P06DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD50P10ADN56
WSD50P10ADN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。
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WSD60P06DN56
WSD60P06DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD60P06DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD40L60DN56
WSD40L60DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD40L60DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD30L120ADN56
WSD30L120ADN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。
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WSD30L120DN56
WSD30L120DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。
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WSD30L90DN56
WSD30L90DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD30L90DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD20L120DN56
WSD20L120DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。
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WSD46N10DN56
WSD46N10DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD46N10DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD6056DN56
WSD6056DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD6056DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD4078DN56
WSD4078DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD4078DN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD3048TDN56
WSD3048TDN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。WSD3048TDN56完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
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WSD100N15DN56G
WSD100N15DN56G是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。
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WSD75N12GDN56
WSD75N12GDN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷性能。
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