WSC4N65
WS4N65是具有最高性能的N沟道MOSFET，采用极高栅极电荷密度的Trench技术，为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDS(ON)和栅极充电性能。WS4N65满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全面功能可靠性认证。
电子元器件
功能特点
WS4N65是具有最高性能的N沟道MOSFET，采用极高栅极电荷密度的Trench技术，为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDS(ON)和栅极充电性能。WS4N65满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全面功能可靠性认证。
特点：
- 先进的高栅极电荷密度Trench技术
- 超低栅极充电
- 优秀的Cdv/dt效应衰减
- 绿色设备可用
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSC4N65 | Single | N-Ch | 650 | 30 | 4 | 2 | 3 | 4 | 2600 | 3000 | - | - | 550 | 46 | 2.3 | TO-251 | |||||||||||
