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电子元器件
TO-220
TO-220

WSR150N04

​WSR150N04采用先进的沟槽技术和设计,以提供极佳的RDS(ON),并具有低栅极电荷。它可以在各种应用中广泛使用。
功能特点

WSR150N04采用先进的沟槽技术和设计,以提供极佳的RDS(ON),并具有低栅极电荷。它可以在各种应用中广泛使用。


特点:

  • 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
  • 完全特征化的雪崩电压和电流
  • 高EAs下的良好稳定性和均匀性
  • 出色的封装,提供良好的热散热性能
  • 特殊工艺技术,提高ESD能力
主要参数
型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part numberConfigu
ration
TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)RDS(ON)(mΩ)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
   WSR150N04SingleN-Ch40 20 150 --4950      530 321 TO-220