WSR80N08是具有最高性能的N型沟道MOSFET，采用极高单元密度的设计，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的Rson（导通电阻）和栅极充电量。WSR80N08符合RoHS和绿色产品要求，具备100% EAS（可能是指某种电气参数或特性的保证）保证功能，并通过了可靠性认证。

WSR130N06PT采用了先进的SGT MOSFET技术，以提供低RDS（ON）、低栅极电荷、快速开关和优秀的雪崩特性。该设备特别设计以增强其鲁棒性，并适用于高压和大电流条件。

WSR80N06采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)（导通电阻），同时具有低栅极电荷。它可以在各种应用中广泛使用。

​WSR60N06D采用先进的沟槽技术，并设计以提供具有低栅极电荷的出色RDS(ON)性能。它可以在各种应用场合中广泛使用。

​WSR170N04G采用SGT设计和工艺，以提供具有低栅极电荷的出色RDS(ON)性能。它可在多种应用中广泛使用。

​WSR150N04采用先进的沟槽技术和设计，以提供极佳的RDS(ON)，并具有低栅极电荷。它可以在各种应用中广泛使用。

​WSR3090是具有最高性能的N沟道MOSFET，采用极高单元密度的Trench技术。它提供了极佳的RDS(ON)和栅极充电能力，适用于大多数同步降压转换器应用。WSR3090满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并通过了全面功能可靠性认证。

WSC80P03是一款高性能、高稳定性的单P沟道MOS管，适用于各种电子设备中的功率控制电路。

WS4N65是具有最高性能的N沟道MOSFET，采用极高栅极电荷密度的Trench技术，为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDS(ON)和栅极充电性能。WS4N65满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全面功能可靠性认证。

WSC5N20是一款高性能、高稳定性的N沟道MOSFET，适用于各种电子设备中的电源管理和电机控制等应用。

​WSC15N10是具有最高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDS(ON)和门控电荷。WSC15N10满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。

​WSC40N06是具有最高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的栅极单元密度。它可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDS(ON)和门控充电。WSC40N06满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。

WSC60N03是一款高性能、低导通电阻、超低栅极电荷的N沟道MOSFET，适用于同步降压转换器和其他开关电源应用。​

​WSL220N08是具有最高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度。它可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDS(ON)值和栅极充电量。WSL220N08满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。

WSM180N15是具有最高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDS(ON)和栅极充电量。WSM180N15满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。

WSM340N10G是具有最高性能的沟槽N型氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDS(ON)和栅极充电特性。WSM340N10G满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。

WSM400N06G是具有最高性能的沟槽N型场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDS(ON)和栅极电荷。WSM400N06G满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。

​WSM350N04是具有最高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDSON和栅极电荷。WSM350N04满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。

​WSK290N04G6是具有最高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDSON和栅极电荷。WSK290N04G6满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。

WSK92P06是具有最高性能的沟槽P型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDSON和栅极充电量。WSK92P06满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。