WSK160N15是具有最高性能的沟道N型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDSON和栅极电荷。WSK160N15满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。

WSK150N10是性能最高、具有极高单元密度的沟道N型MOSFET，它能为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDSON和栅极电荷。WSK150N10满足RoHS和绿色产品要求，并获得100% EAS保证，已通过全功能可靠性认证。

​WSK200N08A是性能最高、具有极高单元密度的沟道N型MOSFET，它提供了大多数同步降压转换器应用所需的极佳RDSON和栅极电荷。WSK200N08A满足RoHS和绿色产品要求，并获得100% EAS保证，已通过全功能可靠性认证。

​WSK140N08是具有极高性能的沟道N型MOSFET，具有极端高的栅密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDSON和门电荷。

​WSK96N08是具有最高性能的沟道N型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDSON值和栅极充电量。WSK96N08满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证的全功能可靠性认证。

WSK140N06是一款高性能、高可靠性的N沟道场效应管，适用于多种应用场景。
封装：TO-263 漏源电压（Vdss）：60V 漏极电流（Id）：140A
漏源导通电阻（RDS(on)）：5.3mΩ 栅极电荷（Qg）：90nC
最大耗散功率：107W 栅源电压（Vgs）：±20V 工作温度范围：-55°C至150°C

WSK220N04是高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDSON和栅极电荷。WSK220N04满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并通过全功能可靠性认证。

​WSK180N04是具有最高性能的沟道N型MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了极佳的RDSON和栅极电荷。WSK180N04满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。

线圈电压：12V 引脚数：5 额定线圈功率：360mW
触点形式 一组转换:1C(单刀双掷-转换) 线圈类型：无极性-单线圈
线圈电阻：400Ω 接触电阻：100mΩ 工作温度：-40℃~+85℃

线圈电压：12V 引脚数：4 最大切换电流 15A
触点容量(电阻负载) ：10A@28VDC；10A@277VAC
最大切换电压：277V@AC；28V@DC 额定线圈功率：360mW
线圈电阻：400Ω 接触电阻：100mΩ 工作温度：-40℃~+85℃

​WSK250N03是性能最高的沟道N型MOSFET，采用极高单元密度的沟槽技术，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON（导通电阻）和栅极充电量。WSK250N03符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的电气应力测试（EAS）保证，并已通过全面功能可靠性认证。

​WSK180N03是一款性能极高的N沟道MOSFET，采用极高单元密度的沟槽技术。它提供了出色的RDSON（导通电阻）和栅极充电量，适用于大多数同步降压转换器应用。此外，WSK180N03还满足了RoHS和绿色产品要求，并具有100%的电气应力测试（EAS）保证，且已通过全面功能可靠性认证。

WSK140N03是高性能的N沟道MOSFET，采用极高单元密度的沟槽技术，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSK140N03符合RoHS和绿色产品要求，享有100%的电气应力测试（EAS）保证，并已通过全面功能可靠性认证。

WSF4022是一款性能卓越、采用高密度沟槽技术的双N-沟道场效应晶体管（MOSFET）。它拥有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的Rds(on)（导通电阻）和门控电荷。WSF4022符合RoHS和绿色产品要求，并享有100%的电气应力测试（EAS）保证，且已通过全面功能可靠性认证。

WSF6012是性能最高、采用沟槽技术的N沟道和P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度。它能为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF6012符合RoHS和绿色产品要求，享有100%的电气应力测试（EAS）保证，并已通过全面功能可靠性认证。

WSF4012是具有极高性能的N沟道和P沟道场效应晶体管（MOSFET），拥有极高的单元密度。它能为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF4012符合RoHS和绿色产品要求，并享有100%的电气应力测试（EAS）保证，且已通过全面功能可靠性认证。

WSF3055采用先进的沟槽技术，以提供出色的RDS(ON)（导通电阻）、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他切换应用。

WSF7P20采用了先进的专利技术——平面与条纹DMOS技术，以提供出色的RDS(ON)（导通电阻）、低栅极电荷以及在低栅极电压下的操作能力。该设备适用于作为负载开关或在PWM（脉冲宽度调制）应用中使用。此外，它们也非常适合用于高效率的DC/DC转换器。

WSF45P10是性能最高、采用沟槽P型沟道场效应晶体管（MOSFET）技术的产品，具有极高的单元密度。它能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF45P10符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全面功能可靠性认证。

WSF35P10是一款高性能的P型沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度。它专为同步整流器转换器应用而设计，提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极充电性能。WSF35P10不仅符合RoHS标准，还是一款绿色产品，同时享有100%的电气应力测试（EAS）保证。