​WST30P06是性能最高的沟槽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。WST30P06符合RoHS和绿色产品要求，并经过全面功能可靠性认证。

WST4041 是性能最高的沟槽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（P-ch MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数同步降压转换器应用。WST4041 符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的EAS保证，并经过全面的功能可靠性认证。

​The WST2307 是性能最高的沟槽型P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。The WST2307 符合RoHS和绿色产品要求，并具有完整的功能可靠性认可。

The WST2333A 是性能最高的、具有极高单元密度的沟槽型P沟道MOSFET，它能为大多数小功率开关和负载切换应用提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。The WST2333A 符合RoHS和绿色产品要求，功能齐全，可靠性经过验证。

WST02N20B是一款高性能、高稳定性的N沟道场效应管，适用于各种电子设备中的电源管理和信号处理电路。

​WS05N10L是具有最高性能的沟槽N型沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载切换应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WS05N10L满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

WST02N30是硅N通道增强型VDMOSFETs，采用自对齐平面技术制造，该技术能够减少导通损失，提高开关性能，并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种电源切换电路，以实现系统调节和更高的效率。

WST6066是一款高性能的N沟道场效应晶体管，具有优异的电气特性和广泛的应用领域。

WST4040是具有极高性能的沟槽N型沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷，是大多数同步降压转换器应用的最佳选择。WST4040满足RoHS和绿色产品要求，具有100%的EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。

​WST3400是具有最高性能的沟槽N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的栅极密度（超过3400个栅极/毫米），可为大多数小功率开关和负载切换应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WST3400满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

​WST3403是具有最高性能的沟槽P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单位面积密度，可为大多数小功率开关和负载切换应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极充电量。WST3403满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

WST6402是具有最高性能的沟槽P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的栅极密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WST6402满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

WST2337是具有最高性能的沟槽P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WST2337满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

​WST02N10A是一款高性能、高可靠性的N沟道场效应晶体管，适用于多种电子应用。

​WST2N7002A是具有最高性能的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的晶体管密度，能够为大多数小功率开关和负载切换应用提供极佳的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极充电量。WST2N7002A满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

WST3400S是具有最高性能的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WST3400S满足RoHS和绿色产品要求，并具有全面的功能可靠性认证。

​WST2304是具有极高性能的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可提供极佳的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小型功率开关和负载切换应用。WST2304满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

​WSR70P10是一款高性能的P沟道场效应晶体管，具有出色的RDS(ON)和栅极电荷性能，适用于多种小功率开关和负载开关应用。

​WSR45P10是一款性能极高的沟槽P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了出色的RDS(ON)和栅极电荷。WSR45P10符合RoHS和绿色产品要求，并已经通过了完全功能可靠性认证。

​WSR38P10是具有极高性能的沟槽P型MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON（导通电阻）和栅极电荷。WSR38P10符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过了完全功能可靠性认证。