WSM400N06G
WSM400N06G是具有最高性能的沟槽N型场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDS(ON)和栅极电荷。WSM400N06G满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。
电子元器件
功能特点
WSM400N06G是具有最高性能的沟槽N型场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDS(ON)和栅极电荷。WSM400N06G满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。
特点：
- 先进的高单元密度Trench技术
- 超低栅极电荷
- 优秀的CdV/dt效应衰减
- 100% EAS保证
- 绿色设备可用
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSM400N06G | Single | N-Ch | 60 | 20 | 400 | 2 | 3.0 | 4 | 1.3 | 1.8 | - | - | 9200 | 1635 | 725 | TOLL-8L | |||||||||||
