WST2002
WST2002是具有最高性能的沟槽N型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载切换应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WST2002符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。
电子元器件
功能特点
WST2002是具有最高性能的沟槽N型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载切换应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WST2002符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。
特性：
● 高速切换
● 绿色设备可用
● ESD保护等级：2KV
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WST2002 | Single+ESD | N-Ch | 30 | 20 | 0.6 | 1 | 1.85 | 2.5 | - | 7500 | - | - | 25 | 10 | 3 | SOT-723 | |||||||||||
