WST3035
WST3035是一款具有极高性能的沟槽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。它采用了先进的高单元密度沟槽技术，具有极高的单元密度，从而能够提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。这使得WST3035非常适合用于大多数同步整流器转换器应用。
电子元器件
功能特点
WST3035是一款具有极高性能的沟槽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。它采用了先进的高单元密度沟槽技术，具有极高的单元密度，从而能够提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。这使得WST3035非常适合用于大多数同步整流器转换器应用。
此外，WST3035完全符合RoHS和绿色产品要求，表明它在生产过程中没有使用任何有害物质，并且对环境友好。该产品还经过了全功能可靠性认证，确保了其长期稳定运行和可靠性。
特性：
- 先进的高单元密度沟槽技术：通过优化MOSFET的结构，提高了单元密度，从而降低了RDS(ON)和栅极电荷。
- 超低栅极电荷：减少了开关过程中的能量损失，提高了效率。
- 优秀的Cdv/dt效应衰减：降低了在高频开关过程中可能产生的噪声和干扰。
- 绿色设备可用：符合环保要求，适合用于对环保有严格要求的应用场景。
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WST3035 | Single | P-Ch | -30 | 20 | -4.4 | -0.5 | -1 | -2.5 | 50 | 60 | 73 | 90 | 895 | 134 | 120 | SOT-23-6L | |||||||||||
