WST2006
The WST2006 是性能最高的沟道N型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。The WST2006 符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。
电子元器件
功能特点
The WST2006 是性能最高的沟道N型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。The WST2006 符合RoHS和绿色产品要求，并具有全功能可靠性认证。
特性：
● 先进的高单元密度Trench技术
● 超低栅极电荷
● 优秀的Cdv/dt效应下降
● 绿色设备可用
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WST2006 | Dual | N-Ch | 30 | 20 | 0.17 | 1 | 1.5 | 2 | 5500 | 7500 | - | - | 22 | 11 | 2 | SOT-363 | |||||||||||
