WST2005
H型是P通道增强模式功率MOSFET，采用高单元密度和DMOS沟槽技术生产。该器件特别适合低电压应用，尤其是电池供电电路。其小巧轻薄的外形节省了PCB上的空间所有器件在电气上是相同的。- 符合RoHS标准
电子元器件
功能特点
H型是P通道增强模式功率MOSFET，采用高单元密度和DMOS沟槽技术生产。该器件特别适合低电压应用，尤其是电池供电电路。其小巧轻薄的外形节省了PCB上的空间所有器件在电气上是相同的。- 符合RoHS标准
特性：
● 先进的高单元密度Trench技术
● 超级低栅极充电
● 优秀的Cdv/dt效应衰减
● 绿色设备可用。
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WST2005 | Single | P-Ch | -20 | 12 | -1.6 | -0.4 | -0.7 | -1 | - | - | 145 | 155 | 472 | 71 | 51 | SOT-323 | |||||||||||
