WSE3099
WSP3099是具有最高性能的沟槽P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSP3099符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。
电子元器件
功能特点
WSP3099是具有最高性能的沟槽P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSP3099符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。
特性：
● 先进的高单元密度沟槽技术
● 超低栅极电荷
● 优秀的CdV/dt效应下降
● 有绿色设备可供选择
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSE3099 | Single | P-Ch | -30 | 20 | -5 | -1 | -1.5 | -2 | 53 | 65 | 80 | 98 | 625 | 100 | 60 | SOT-89 | |||||||||||
