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电子元器件
STO-23-6L
STO-23-6L

WST05P06

WST05P06是性能最高的沟槽P型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有极端高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(on)(导通电阻)和门控电流。WST05P06符合RoHS和绿色产品要求,并具有全功能可靠性认证。
功能特点

WST05P06是性能最高的沟槽P型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有极端高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(on)(导通电阻)和门控电流。WST05P06符合RoHS和绿色产品要求,并具有全功能可靠性认证。


特性:

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 超低栅极电荷
  • 优秀的CdV/dt效应衰减
  • 绿色设备可用
主要参数
型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part numberConfigu
ration
TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)RDS(ON)(mΩ)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
WST05P06SingleP-Ch-60 20 -4.9 -0.5 -0.8 -1.2 68 85 80 110 430      41 25 SOT-23-6L