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电子元器件
SOT-523
SOT-523

WST6003

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):350mA
导通电阻(RDS(on)) :1.2Ω@2.5V,0.3A 耗散功率(Pd):150mW
栅极电荷量(Qg):1.5nC@4.5V 工作温度:-55℃~+150℃
功能特点

特性
TrenchFET® 功率MOSFET:

  • 额定电压:1.8伏
  • 栅源极静电放电(ESD)保护:2000伏
  • 高侧开关
  • 低导通电阻:1.2Ω
  • 低阈值:0.8伏(典型值)
  • 快速切换速度:14纳秒
  • S前缀用于汽车和其他需要独特站点和控制更改要求的应用;已通过AEC-Q101认证,具备PPAP能力。

优势

  • 易于驱动开关
  • 低偏移(错误)电压
  • 低电压操作
  • 高速电路
  • 低电池电压操作
主要参数
型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part numberConfigu
ration
TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)RDS(ON)(mΩ)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
WST6003SingleP-Ch-20 0.3 -0.45 ----800 1200 -     --SOT-523