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电子元器件
TO-263
TO-263

WSK200N08A

​WSK200N08A是性能最高、具有极高单元密度的沟道N型MOSFET,它提供了大多数同步降压转换器应用所需的极佳RDSON和栅极电荷。WSK200N08A满足RoHS和绿色产品要求,并获得100% EAS保证,已通过全功能可靠性认证。
功能特点

WSK200N08A是性能最高、具有极高单元密度的沟道N型MOSFET,它提供了大多数同步降压转换器应用所需的极佳RDSON和栅极电荷。WSK200N08A满足RoHS和绿色产品要求,并获得100% EAS保证,已通过全功能可靠性认证。


特点:
● 先进的高单元密度Trench技术
● 超低栅极电荷
● 优秀的CdV/dt效应衰减
● 100% EAS保证
● 绿色设备可用

主要参数
型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part numberConfigu
ration
TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)RDS(ON)(mΩ)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
   WSK200N08ASingleN-Ch80 25 200 --8154 1029 650 TO-263