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电子元器件
TO-263
TO-263

WSK140N03

WSK140N03是高性能的N沟道MOSFET,采用极高单元密度的沟槽技术,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷。WSK140N03符合RoHS和绿色产品要求,享有100%的电气应力测试(EAS)保证,并已通过全面功能可靠性认证。
功能特点

WSK140N03是高性能的N沟道MOSFET,采用极高单元密度的沟槽技术,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷。WSK140N03符合RoHS和绿色产品要求,享有100%的电气应力测试(EAS)保证,并已通过全面功能可靠性认证。


特性

● 先进的高单元密度沟槽技术
● 超低栅极电荷
● 优秀的CdV/dt效应衰减
● 100% EAS保证
● 提供绿色设备

主要参数
型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part numberConfigu
ration
TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)RDS(ON)(mΩ)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
   WSK140N03SingleN-Ch30 20 140 -2.5 --3075      400 315 TO-263