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电子元器件
TO-263
TO-263

WSK150N10

WSK150N10是性能最高、具有极高单元密度的沟道N型MOSFET,它能为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDSON和栅极电荷。WSK150N10满足RoHS和绿色产品要求,并获得100% EAS保证,已通过全功能可靠性认证。
功能特点

WSK150N10是性能最高、具有极高单元密度的沟道N型MOSFET,它能为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDSON和栅极电荷。WSK150N10满足RoHS和绿色产品要求,并获得100% EAS保证,已通过全功能可靠性认证。


特点:

  • 先进的高单元密度Trench技术
  • 超低栅极电荷
  • 优秀的CdV/dt效应衰减
  • 100% EAS保证
  • 绿色设备可用
主要参数
型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part numberConfigu
ration
TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)RDS(ON)(mΩ)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
   WSK150N10SingleN-Ch100 25 150 2.5 4.5 3.7 4.2 --4120 1250 65 TO-263