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电子元器件
TO-263
TO-263

WSK140N06

WSK140N06是一款高性能、高可靠性的N沟道场效应管,适用于多种应用场景。
封装:TO-263 漏源电压(Vdss):60V 漏极电流(Id):140A
漏源导通电阻(RDS(on)):5.3mΩ 栅极电荷(Qg):90nC
最大耗散功率:107W 栅源电压(Vgs):±20V 工作温度范围:-55°C至150°C
功能特点

WSK140N06是一款高性能、高可靠性的N沟道场效应管,适用于多种应用场景。


   基本参数
  • FET类型:单N沟道
  • 封装:TO-263
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 漏极电流(Id):140A
  • 漏源导通电阻(RDS(on)):5.3mΩ
  • 栅极电荷(Qg):90nC
  • 最大耗散功率:107W
  • 栅源电压(Vgs):±20V
  • 工作温度范围:-55°C至150°C


主要参数
型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part numberConfigu
ration
TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)RDS(ON)(mΩ)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
   WSK140N06SingleN-Ch60 20 140 5.3 --4136      340 260 TO-263