WSK250N03
WSK250N03是性能最高的沟道N型MOSFET，采用极高单元密度的沟槽技术，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON（导通电阻）和栅极充电量。WSK250N03符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的电气应力测试（EAS）保证，并已通过全面功能可靠性认证。
电子元器件
功能特点
WSK250N03是性能最高的沟道N型MOSFET，采用极高单元密度的沟槽技术，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON（导通电阻）和栅极充电量。WSK250N03符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的电气应力测试（EAS）保证，并已通过全面功能可靠性认证。
特性
● 先进的高单元密度沟槽技术
● 超级低栅极充电量
● 优秀的CdV/dt效应衰减
● 100% EAS保证
● 提供绿色设备
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSK250N03 | Single | N-Ch | 30 | 20 | 250 | 1 | 1.8 | 3 | 1.8 | 2.5 | 2.5 | 3.5 | 10600 | 1156 | 732 | TO-263 | |||||||||||
