WSF7P20
WSF7P20采用了先进的专利技术——平面与条纹DMOS技术，以提供出色的RDS(ON)（导通电阻）、低栅极电荷以及在低栅极电压下的操作能力。该设备适用于作为负载开关或在PWM（脉冲宽度调制）应用中使用。此外，它们也非常适合用于高效率的DC/DC转换器。
电子元器件
功能特点
WSF7P20采用了先进的专利技术——平面与条纹DMOS技术，以提供出色的RDS(ON)（导通电阻）、低栅极电荷以及在低栅极电压下的操作能力。该设备适用于作为负载开关或在PWM（脉冲宽度调制）应用中使用。此外，它们也非常适合用于高效率的DC/DC转换器。
特性
● 先进的高单元密度沟槽技术
● 超级低栅极电荷
● 优秀的CdV/dt效应衰减
● 100% EAS（电气应力测试）保证
● 可提供绿色设备
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSF7P20 | Single | P-Ch | -200 | 30 | -5.7 | -2 | - | -4 | 540 | 690 | - | - | 590 | 140 | 25 | TO-252 | |||||||||||
