WSF3055
WSF3055采用先进的沟槽技术，以提供出色的RDS(ON)（导通电阻）、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他切换应用。
电子元器件
功能特点
WSF3055采用先进的沟槽技术，以提供出色的RDS(ON)（导通电阻）、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他切换应用。
特性
100% UIS + Rg 测试可靠且耐用
提供无铅选项（符合RoHS标准）
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSF3055 | N+P | N-Ch | 30 | 20 | 24 | 1.3 | 1.8 | 2.3 | 15 | 20 | 18 | 23 | 395 | 105 | 42 | TO-252 -4L | |||||||||||
| P-Ch | -30 | 20 | -19.8 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 15 | 20 | 750 | 142 | 102 | ||||||||||||||
