WSF6012
WSF6012是性能最高、采用沟槽技术的N沟道和P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度。它能为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF6012符合RoHS和绿色产品要求，享有100%的电气应力测试（EAS）保证，并已通过全面功能可靠性认证。
电子元器件
功能特点
WSF6012是性能最高、采用沟槽技术的N沟道和P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度。它能为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSF6012符合RoHS和绿色产品要求，享有100%的电气应力测试（EAS）保证，并已通过全面功能可靠性认证。
特性
● 先进的高单元密度沟槽技术
● 超低栅极电荷
● 优秀的CdV/dt效应衰减
● 100% EAS保证
● 提供绿色设备
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSF6012 | N+P | N-Ch | 60 | 20 | 20 | 1 | - | 2.5 | 28 | 37 | 37 | 45 | 670 | 70 | 35 | TO-252 -4L | |||||||||||
| P-Ch | -60 | 20 | -15 | -1 | - | -2.5 | 60 | 85 | 80 | 110 | 500 | 66 | 32 | ||||||||||||||
