WSR180N10
WSR180N10是具有最高性能的高密度沟槽N-型MOSFET，其单元密度极高，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSR180N10符合RoHS（栅极驱动器阻抗）和绿色产品要求，具有100%的EAS（Ease of Assembly，易于装配）保证，并通过了全功能可靠性认证。
电子元器件
功能特点
WSR180N10是具有最高性能的高密度沟槽N-型MOSFET，其单元密度极高，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSR180N10符合RoHS（栅极驱动器阻抗）和绿色产品要求，具有100%的EAS（Ease of Assembly，易于装配）保证，并通过了全功能可靠性认证。
特点：
● 先进的高密度沟槽技术
● 超级低的栅极电荷
● 优秀的CdV/dt效应衰减（注：CdV/dt可能指与电压变化率相关的某种效应，具体含义需根据上下文确定）
● 100% EAS保证
● 提供绿色设备选项
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSR180N10 | Single | N-Ch | 100 | 25 | 180 | 2.5 | 3 | 4.5 | 3 | 4 | - | - | 4120 | 1250 | 65 | TO-220 | |||||||||||
