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电子元器件
TO-220F-1
TO-220F-1

WSR30N65C

​WSR30N65C系列设备采用先进的Trench Gate Super Junction(沟道超结)技术和设计,以提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和低栅极电荷。这款超结MOSFET满足工业AC-DC开关电源(SMPS)对于功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换以及工业电源应用的要求。
功能特点

WSR30N65C系列设备采用先进的Trench Gate Super Junction(沟道超结)技术和设计,以提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和低栅极电荷。这款超结MOSFET满足工业AC-DC开关电源(SMPS)对于功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换以及工业电源应用的要求。


WSR30N65C系列符合:
RoHS和Green Product(绿色产品)要求,拥有100% EAS保证,并且通过了完全功能可靠性批准。


特点:

●先进的高单元密度Trench技术

●超低栅极充电率

●出色的Cdv/dt效应下降

●提供绿色设备

主要参数
型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part numberConfigu
ration
TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)RDS(ON)(mΩ)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
   WSR30N65CSingleN-Ch650 30 28 2.3 110 140 --2070      120 0.5 TO-220