WSR20N60
这款Power MOSFET采用了Truesemi公司的先进CoolFET技术制造。这项先进技术经过专门设计，旨在最大限度地减少导通状态下的电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合高压、高效率的开关模式电源供应器，以及基于半桥拓扑结构的主动功率因素校正应用。
电子元器件
功能特点
这款Power MOSFET采用了Truesemi公司的先进CoolFET技术制造。这项先进技术经过专门设计，旨在最大限度地减少导通状态下的电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合高压、高效率的开关模式电源供应器，以及基于半桥拓扑结构的主动功率因素校正应用。
特点：
高坚固性
快速切换
100%雪崩测试
改进的dv/dt能力
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSR20N60 | Single | N-Ch | 600 | 30 | 20 | 3 | - | 5 | 190 | 250 | - | - | 1990 | 1185 | 34 | TO-220 | |||||||||||
