WSM350N04
WSM350N04是具有最高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDSON和栅极电荷。WSM350N04满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。
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WSK290N04G6
WSK290N04G6是具有最高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDSON和栅极电荷。WSK290N04G6满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSK92P06
WSK92P06是具有最高性能的沟槽P型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDSON和栅极充电量。WSK92P06满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSK160N15
WSK160N15是具有最高性能的沟道N型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDSON和栅极电荷。WSK160N15满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSK150N10
WSK150N10是性能最高、具有极高单元密度的沟道N型MOSFET，它能为大多数同步降压转换器应用提供极佳的RDSON和栅极电荷。WSK150N10满足RoHS和绿色产品要求，并获得100% EAS保证，已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSK200N08A
WSK200N08A是性能最高、具有极高单元密度的沟道N型MOSFET，它提供了大多数同步降压转换器应用所需的极佳RDSON和栅极电荷。WSK200N08A满足RoHS和绿色产品要求，并获得100% EAS保证，已通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSK140N08
WSK140N08是具有极高性能的沟道N型MOSFET，具有极端高的栅密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDSON和门电荷。详情/PDF下载 -
WSK96N08
WSK96N08是具有最高性能的沟道N型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDSON值和栅极充电量。WSK96N08满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证的全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSK140N06
WSK140N06是一款高性能、高可靠性的N沟道场效应管，适用于多种应用场景。
封装：TO-263 漏源电压（Vdss）：60V 漏极电流（Id）：140A
漏源导通电阻（RDS(on)）：5.3mΩ 栅极电荷（Qg）：90nC
最大耗散功率：107W 栅源电压（Vgs）：±20V 工作温度范围：-55°C至150°C详情/PDF下载 -
WSK220N04
WSK220N04是高性能的沟槽N型MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优秀的RDSON和栅极电荷。WSK220N04满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并通过全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSK180N04
WSK180N04是具有最高性能的沟道N型MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了极佳的RDSON和栅极电荷。WSK180N04满足RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSK250N03
WSK250N03是性能最高的沟道N型MOSFET，采用极高单元密度的沟槽技术，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON（导通电阻）和栅极充电量。WSK250N03符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的电气应力测试（EAS）保证，并已通过全面功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSK180N03
WSK180N03是一款性能极高的N沟道MOSFET，采用极高单元密度的沟槽技术。它提供了出色的RDSON（导通电阻）和栅极充电量，适用于大多数同步降压转换器应用。此外，WSK180N03还满足了RoHS和绿色产品要求，并具有100%的电气应力测试（EAS）保证，且已通过全面功能可靠性认证。详情/PDF下载 -
WSK140N03
WSK140N03是高性能的N沟道MOSFET，采用极高单元密度的沟槽技术，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷。WSK140N03符合RoHS和绿色产品要求，享有100%的电气应力测试（EAS）保证，并已通过全面功能可靠性认证。详情/PDF下载
