WSR18P10
WSR18P10是性能最高的沟槽型P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了出色的RDSON（导通电阻）和门控电荷。WSR18P10符合RoHS和绿色产品要求，并通过了完全功能可靠性认证。
电子元器件
功能特点
WSR18P10是性能最高的沟槽型P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了出色的RDSON（导通电阻）和门控电荷。WSR18P10符合RoHS和绿色产品要求，并通过了完全功能可靠性认证。
特点：
先进的高单元密度沟槽技术
超低门控电荷
优秀的Cdv/dt效应衰减
提供绿色设备
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSR18P10 | Single+ESD | P-Ch | -100 | 20 | -25 | -1 | -1.5 | -3.5 | 80 | 100 | 100 | 115 | 2580 | 185 | 140 | TO-220 | |||||||||||
