WSR22N50F
WSR22N50F是硅N通道增强型VDMOSFET，采用自对准平面技术制造，该技术可减少导通损失，提高开关性能，并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种电源开关电路系统，有助于系统的小型化和提高效率。封装形式为TO-220F，符合RoHS标准。
电子元器件
功能特点
WSR22N50F是硅N通道增强型VDMOSFET，采用自对准平面技术制造，该技术可减少导通损失，提高开关性能，并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种电源开关电路系统，有助于系统的小型化和提高效率。封装形式为TO-220F，符合RoHS标准。
特点：
● 低栅极电荷
● 低Crss
○ 快速切换
● 100%雪崩测试
● 改进的dv/dt能力
● RoHS产品
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSR22N50F | Single | N-Ch | 500 | 30 | 20 | 2 | - | 4 | 250 | 30 | - | - | 2800 | 285 | 25 | TO-220 | |||||||||||
