WSR25N20G
WSR25N20G是具有最高性能的沟槽N-型MOSFET，具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极充电量。WSR25N20G符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。
电子元器件
功能特点
WSR25N20G是具有最高性能的沟槽N-型MOSFET，具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极充电量。WSR25N20G符合RoHS和绿色产品要求，具有100%的EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。
特点：
- 先进的高单元密度沟槽（Trench）技术
- 超低栅极充电量
- 优秀的CdV/dt效应下降
- 绿色设备可用
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSR25N20G | Single | N-Ch | 200 | 20 | 36 | 3 | 3.8 | 5 | 57 | 68 | - | - | 2445 | 129 | 24 | TO-220 | |||||||||||
