WST02N30
WST02N30是硅N通道增强型VDMOSFETs，采用自对齐平面技术制造，该技术能够减少导通损失，提高开关性能，并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种电源切换电路，以实现系统调节和更高的效率。
电子元器件
功能特点
WST02N30是硅N通道增强型VDMOSFETs，采用自对齐平面技术制造，该技术能够减少导通损失，提高开关性能，并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种电源切换电路，以实现系统调节和更高的效率。
特点：
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 优异的Cdv/dt效应衰减
- 提供绿色器件
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WST02N30 | Single | N-Ch | 300 | 20 | 2 | 2 | 3 | 4 | 3000 | 4000 | - | - | 138 | 30 | 5 | SOT-23-3L | |||||||||||
