WST03P06
WST30P06是性能最高的沟槽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。WST30P06符合RoHS和绿色产品要求，并经过全面功能可靠性认证。
电子元器件
功能特点
WST30P06是性能最高的沟槽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可提供出色的RDS(ON)和栅极电荷，适用于大多数小功率开关和负载切换应用。WST30P06符合RoHS和绿色产品要求，并经过全面功能可靠性认证。
特性：
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 优秀的CdV/dt效应衰减
- 100% EAS保证
- 绿色设备可用
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WST03P06 | Single | P-Ch | -60 | 20 | -3.5 | -1 | -1.5 | -3 | 110 | 150 | 150 | 180 | 364 | 41 | 12 | SOT-23-3L | |||||||||||
