WST6402
WST6402是具有最高性能的沟槽P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的栅极密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WST6402满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
电子元器件
功能特点
WST6402是具有最高性能的沟槽P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的栅极密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WST6402满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
特点：
●先进的高栅极密度沟槽技术
●超低栅极电荷
●优异的CdV/dt效应衰减（指栅极-漏极间电压变化率对漏极电流的影响衰减）
●提供绿色器件
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WST6402 | Single | P-Ch | -20 | 12 | -4.4 | -0.5 | -0.8 | -1.2 | - | - | 50 | 60 | 857 | 114 | 108 | SOT-23N | |||||||||||
