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电子元器件
SOT-23N
SOT-23N

WST3400S

WST3400S是具有最高性能的沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供优异的RDSON(漏源极导通电阻)和栅极电荷。WST3400S满足RoHS和绿色产品要求,并具有全面的功能可靠性认证。
功能特点

WST3400S是具有最高性能的沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供优异的RDSON(漏源极导通电阻)和栅极电荷。WST3400S满足RoHS和绿色产品要求,并具有全面的功能可靠性认证。


特点:
●先进的高单元密度沟槽技术
●超低栅极电荷
●优异的Cdv/dt效应下降
●提供绿色器件

主要参数
型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part numberConfigu
ration
TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)RDS(ON)(mΩ)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
WST3400SSingleN-Ch30 12 5.6 0.5 0.8 --27 32 525      57 45 SOT-23N