WST3400S
WST3400S是具有最高性能的沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供优异的RDSON(漏源极导通电阻)和栅极电荷。WST3400S满足RoHS和绿色产品要求,并具有全面的功能可靠性认证。
WST3400S是具有最高性能的沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供优异的RDSON(漏源极导通电阻)和栅极电荷。WST3400S满足RoHS和绿色产品要求,并具有全面的功能可靠性认证。
特点:
●先进的高单元密度沟槽技术
●超低栅极电荷
●优异的Cdv/dt效应下降
●提供绿色器件
型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
@10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
(V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
WST3400S | Single | N-Ch | 30 | 12 | 5.6 | 0.5 | 0.8 | 1 | - | - | 27 | 32 | 525 | 57 | 45 | SOT-23N |