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电子元器件
SOT-23N
SOT-23N

WST2337

WST2337是具有最高性能的沟槽P沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供优异的RDSON(漏源极导通电阻)和栅极电荷。WST2337满足RoHS和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
功能特点

WST2337是具有最高性能的沟槽P沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供优异的RDSON(漏源极导通电阻)和栅极电荷。WST2337满足RoHS和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。

特点:
●先进的高单元密度沟槽技术
●超低栅极电荷
●优异的Cdv/dt效应衰减(指栅极-漏极间电压变化率对漏极电流的影响衰减)
●提供绿色器件

主要参数
型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part numberConfigu
ration
TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)RDS(ON)(mΩ)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
WST2337SingleP-Ch-15 12 -5 -0.45 -0.7 -1.2 --28 45 1440 280 190 SOT-23N