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电子元器件
SOT-23-3L
SOT-23-3L

WST3400

​WST3400是具有最高性能的沟槽N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的栅极密度(超过3400个栅极/毫米),可为大多数小功率开关和负载切换应用提供优异的RDSON(漏源极导通电阻)和栅极电荷。WST3400满足RoHS和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
功能特点

WST3400是具有最高性能的沟槽N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的栅极密度(超过3400个栅极/毫米),可为大多数小功率开关和负载切换应用提供优异的RDSON(漏源极导通电阻)和栅极电荷。WST3400满足RoHS和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。


特点:

  • 先进的高栅极密度沟槽技术
  • 超低栅极电荷
  • 优异的Cdv/dt效应衰减
  • 提供绿色器件
主要参数
型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part numberConfigu
ration
TypeVDSVGSID (A)VGS(th)(v)RDS(ON)(mΩ)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
WST3400SingleN-Ch30 12 0.5 0.8 1.2 --18 28 572      81 65 SOT-23-3L