WST05N10L
WS05N10L是具有最高性能的沟槽N型沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载切换应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WS05N10L满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
电子元器件
功能特点
WS05N10L是具有最高性能的沟槽N型沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载切换应用提供优异的RDSON（漏源极导通电阻）和栅极电荷。WS05N10L满足RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
特点：
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 优异的Cdv/dt效应衰减（指栅极-漏极间电压变化率对漏极电流的影响衰减）
- 提供绿色器件
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WST05N10L | Single | N-Ch | 100 | 20 | 3 | 0.5 | 1.2 | 1.7 | 120 | 145 | 145 | 170 | 650 | 25 | 20 | SOT-23-3L | |||||||||||
