​WSD30140DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD30140DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD30100DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD30100DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD3042DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD3042DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD25280DN56G是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。
WSD25280DN56G完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSD20100DN56是性能卓越的沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSD20100DN56完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

WSP85N10是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管（MOSFET），具备极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷性能。WSP85N10完全符合RoHS和绿色产品标准，保证100%（EAS），且已通过全功能可靠性测试认证。

​WSP4065是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4065完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSP6067A是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP6067A完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

WSP4620是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4620完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSP4626是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4626完全符合RoHS和绿色产品要求，保证100%无卤素（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSP6077是性能最高的沟槽型P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP6077符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

​WSP4077是性能卓越的沟槽型P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4077符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSP6055是性能卓越的沟槽型P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP6055符合RoHS和绿色产品要求，保证100%（EAS），并已通过全功能可靠性认证。

​WSP4955是性能卓越的沟槽型双P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4955符合RoHS和绿色产品要求，并保证100%（EAS），且已通过全功能可靠性认证。

​WSP4953A是性能卓越的沟槽型P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4953A符合RoHS和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。

WSP11N10T是性能卓越的双沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSF11N10T符合RoHS和绿色产品要求，拥有100%的环境应力筛选（EAS）保证，并已通过全功能可靠性认证。

​WSP6956是性能卓越的双沟槽型N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。

​WSP4984是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4984符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并且通过了100%的EAS保证，以及全功能可靠性认证。

​WSP4888是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4888符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并且通过了100%的EAS保证，以及全功能可靠性认证。

​WSP8212是性能最高的双沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP8212符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并且已经通过了全功能可靠性认证。