WSP4984
WSP4984是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP4984符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并且通过了100%的EAS保证，以及全功能可靠性认证。
电子元器件
功能特点
WSP4984是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSP4984符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并且通过了100%的EAS保证，以及全功能可靠性认证。
特点：
先进的高单元密度沟槽技术
超低栅极电荷
优异的CdV/dt效应衰减
100% EAS保证
提供绿色器件选项
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | RDS(ON)(mΩ) | VGS(th)(v) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSP4984 | Dual | N-Ch | 40 | 20 | 10 | 1.55 | 2.2 | 2.7 | 15 | 20 | 17.7 | 21 | 1500 | 250 | 135 | SOP-8 | |||||||||||
