WSP8212
WSP8212是性能最高的双沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。WSP8212符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并且已经通过了全功能可靠性认证。
电子元器件
功能特点
WSP8212是性能最高的双沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了出色的RDS(ON)（导通电阻）和栅极电荷特性。
WSP8212符合RoHS（限制有害物质）和绿色产品要求，并且已经通过了全功能可靠性认证。
特点：
先进的高单元密度沟槽技术
超低栅极电荷
优异的Cdv/dt效应衰减
提供绿色器件选项
主要参数
| 型号 | 配置 | 沟道 | 最大漏 极电压 | 最大栅源 承受电压 | 最大漏 源电流 | 开启阈值电压 | 导通电阻 | 输入 电容 | 输出 电容 | 反向传 输电容 | 封装 | ||||||||||||||||
| Part number | Configu ration | Type | VDS | VGS | ID (A) | RDS(ON)(mΩ) | VGS(th)(v) | Ciss | Coss | Crss | Package | ||||||||||||||||
| @10V | @4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
| (V) | ±(V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | (pF) | (pF) | |||||||||||||||
| WSP8212 | Dual+ESD | N-Ch | 20 | 12 | 11 | 0.5 | 0.72 | 1 | - | - | 10 | 13 | 937 | 153 | 150 | SOP-8 | |||||||||||
