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电子元器件
SOP-8
SOP-8

WSP6067A

​WSP6067A是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷特性。WSP6067A完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。
功能特点
WSP6067A是性能卓越的沟槽型N沟道和P沟道场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷特性。

WSP6067A完全符合RoHS和绿色产品要求,保证100%(EAS),并已通过全功能可靠性认证。


特点:

先进的高单元密度沟槽技术

超低栅极电荷

优异的CdV/dt效应衰减

100%EAS保证

提供绿色器件选项

主要参数
型号配置沟道最大漏
极电压
最大栅源
承受电压
最大漏
源电流
开启阈值电压导通电阻输入
电容
输出
电容
反向传
输电容
封装
Part number      Configu
      ration
TypeVDSVGSID (A)RDS(ON)(mΩ)VGS(th)(v)CissCossCrssPackage
@10V@4.5V
(V)±(V)Max.Min.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.(pF)(pF)(pF)
WSP6067AN+PN-Ch60 20 38 52 55 75 1027 65 45 SOP-8
P-Ch-60 20 -5 -1.2 -1.75 -2.5 80 100 100 115 1137 76 50